SK海力士今天官宣,开始用EUV光刻机量产1anm工艺8GB LPDDR4 DRAM颗粒,有效降低成本,提升性能,这将有效缓解全球内存供应压力。

海力士用光刻机量产10nm 8GB LPDDR4插图

海力士1anm工艺其实是第四代10nm工艺,已在7月开始量产。另外,SK海力士预计会从下半年开始向智能手机厂商供应采用1a纳米级技术的移动端 DRAM,基于高通895以及联发科2000系列的新机有望采用。

与目前主流的颗粒相比,新的10nm 8GB LPDDR4 DRAM密度提高,因此在相同尺寸的晶圆下制造出来的DRAM 芯片数量增加了约25%,成本更低,据说还有助于缓解全球市场半导体供需。

此前,三星和美光都表示,将启用EUV光刻机闪存内存,不过美光时间上要更晚一些,其要在2024年生产新的EUV内存芯片。

值得一提的是,该工艺下还可以制造DDR5内存,据说会在10月份开始量产。

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