日前,西数发布了iNAND MC系列新款UFS 3.1闪存——iNAND MC EU551,可用于智能手机、物联网等设备,写入性能有点厉害。

西数iNAND MC EU551采用先进的3D NAND闪存技术,有128GB-512GB多种容量,颗粒尺寸为封装大小为11.5×13×1mm,和普通颗粒大小相同。

西数iNAND MC EU551 UFS 3.1超级闪存:写入超UFS 3.1两倍达1550MB/s插图

支持UFS 3.1 Gear 4/2 通道,在iNAND SmartSLC Gen6智能缓存加速技术支持下,性能强悍,最高连续写入高达 1550MB/s ,远超UFS 2以及现有UFS 3.1,目前最高的UFS 3.1的写入速度约760MB/s。

另外,还有Write Booster技术、Host Performance Booster 2.0技术以及写入寿命优化技术,不过具体的写入寿命未透露。

西数iNAND MC EU551 UFS 3.1超级闪存:写入超UFS 3.1两倍达1550MB/s插图1

和海力士一味追求大容量不同,西数更专注性能,这才是当下手机最需求的,目前容量已经不是瓶颈。西数表示,该颗粒将在7月量产,下半年的一些旗舰机有望搭载上。另外,该颗粒也适用于超轻薄笔记本和智能设备。

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