三星第10代V-NAND 颗粒有400层，密度提升60%，改用新架构

上个月，三星宣布已开始第9代 QLC NAND 储存颗粒量产，那么接下来怎么安排？

据TrendForce 集邦和韩媒消息，他们已经拿到了三星未来4-5年的NAND 产品规划（路线图），最近的计划是在2026年推出至少拥有400层的 V-NAND 储存颗粒。

目前业内普遍认为，超过300层后会遇到巨大挑战，良品率会猛降。为了解决这一问题，三星正在开发一种改进型工艺和架构，使用“粘合”垂直BV NAND 技术，预计第10代V-NAND 颗粒就会采用。这个技术大概意思是在垂直粘合之前，就在单独的层上制造储存电路和外围电路，这和当下的 Cop 封装有很大不同。

三星表示，该技术下的颗粒密度会提升60%，从而单体容量增大，性能增强，成本下降。

到了2027年，三星将推出第11代 NAND 储存颗粒，预计I/O速率提升50%。然后到了2030年，预计三星会推出1000层的NAND 颗粒。

目前海力士正在开发400层颗粒，预计2025年底将大规模量产。