三星开始量产第 9 代 QLC V-NAND 储存颗粒，密度高，写入性能翻倍，功耗更低

三星今天宣布，已开始量产第 9 代 QLC V-NAND 储存颗粒。

新一代采用专有的通道孔蚀刻技术打造，同时优化单元面积和外围电路，更均匀，密度更高，密度提高了约 86%；同时，性能也得到提升，依靠Predictive Program 技术，最大限度地减少不必要的流程，从而让写入性能提高了一倍。

此外，读写功耗分别降低了30%和50%。

总结下来就是，密度更高，性能更好，功耗更低。