不久前,铠侠 CTO 宫岛英史在日本应用物理学会春季学术演讲会上表示,该企业目标 2030~2031 年推出 1000 层的 3D NAND 闪存,并对存储级内存(SCM)业务进行了重组。

但这一目标提前了!日前,铠侠(原东芝储存)公布了其 3D NAND 闪存发展蓝图,目标是在2027年就实现1000层堆叠,带来更好的性能,更低的成本。

去年铠侠推出了BiCS8 3D NAND颗粒,通过创新的横向收缩技术,成功将密度提高了50%以上,和其他家站在同一高度,将层数提升至218层,提供1Tb三层单元(TLC)和四层单元(QLC)。

铠侠表示,1000层堆叠的宏伟目标需要进一步探索五层单元(PLC)技术才行,目标是在2027年实现。

目前三星第八代是236层,三星9代 V-NAND 的层数将来到 290层,似乎铠侠更激进。不过铠侠并没有透露接下来1年的计划。

可预见,接下来3D NAND闪存技术竞赛还会继续,而且会更激烈,三星也计划在2030年之前推出超过1000层NAND颗粒,计划引入新型铁电材料来实现这一目标。

更高的密度,将带来更低成本、更大单体容量,以及更好的性能表现,目前来看,各家并没有遇到技术瓶颈,都在快速提升技术,想拉爆对手。

总之,接下来的SSD市场还会继续卷下去,这是好事,未来SSD容量会越来越大。

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