NVIDIA 下一代 R100 Ai 加速卡，架构代号”Rubin”，预计台积电3nm工艺、降低功耗，采用HBM4显存

前不久，NVIDIA 才推出了基于”Blackwell”新架构 AI 加速卡，最近才开始出货，但下一代架构已出炉，代号”Rubin”，传闻在性能上实现跨时代飞跃，同时功耗会显著降低。

据知名分析师郭明錤消息，NVIDIA 的首款基于”Rubin” 架构的显卡型号是 R100 ，预计将于2025年第四季度进入量产，或在Q3季度提前亮相展示，友商或可能在更早拿到样品进行测试。

配置方面，NVIDIA R100 预计将采用台积电 3 纳米工艺（EUV FinFET ），还采用光学收缩技术封装，将是首款采用 4 倍光罩设计的加速卡；而最新发布的新的”Blackwell” 架构 B100 使用的是台积电 TSMC-N4P，3.3 倍网罩。不过封装形式上不变，和 B100 一样使用台积电 CoWoS-L 封装。

由于新架构和新工艺，新的NVIDIA R100 的功耗将有效降低，据称 NVIDIA 内部对其下了死命令，这一代必须将功耗大幅降低，因为 AI 市场客户对功耗越来越敏感。

最后，NVIDIA R100 还将采用 HBM4 堆叠显存，具有 8 个堆叠模块，颗粒堆叠高度尚不清楚。

按照推进计划，2025年Q4季度发布的话，那么2026年才会上市发货，因此基于”Blackwell”架构的加速卡差不多还有2年的寿命。