三星今天宣布,已经开始量产其最新的第9代 V-NAND 储存颗粒,是一年半前发布的第8代的继承者。

三星第9代 V-NAND 颗粒采用业内小封装技术打造,采用先进的“通道孔蚀刻”技术,该技术能够在双层结构中同时钻孔,达到业界最高的单元层数。

具体来说,密度提高约50%,还支持下一代“Toggle 5.1”接口,读写和写入/秒带宽均为 3.2GBps,提升约32%。 此外,低功耗设计功耗降低约 10%。

三星表示,目前已开始第九代1Tb TLC V-NAND 的量产,并计划在今年下半年推出四层单元(QLC)的第九代 V-NAND 产品。

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