三星将发布全新第九代 V-NAND 储存技术，290层堆叠、3.2Gbps 速率；第十代储存技术430层

据业内消息，三星将在下月发布全新第九代 V-NAND 技术，继续沿用双堆栈架构，拥有业界最高的层数，小超美光和海力士等竞争对手。

据了解，三星9代 V-NAND 的层数将达到 290层，目前第八代是236层，更高的密度，将带来更低成本、更大单体容量，以及更好的性能表现。

具体来说，三星将发布 1Tb（128GB）QLC 3D NAND闪存芯片，存储密度28.5Gb平方毫米，国内最强的长江存储颗粒密度为20.62Gb平方毫米。性能上，I/O速率达到了3.2 Gbps，现有第8代是2.4 Gbps。

粗略计算，三星可能会推出8TB 或16TB 容量的 M.2 SSD，可能由 990 Pro 的继任者首发，支持采用PCIe 5.0。

此外，三星还公布了第10代技术，层数将达到430层，定于明年发布，或许会引入三堆栈架构。

值得一提的是，此前三星公布了到2030年的产品路线图，最后会将层数提升至1000层+；铠侠CTO 最近也表示，到了2031年开始量产1000层的颗粒。所以，SSD 的容量未来6-7年还会有3-4倍的增长，总之 SSD 技术寿命还很长。