除了 GDDR7 显存,三星还宣布将在下个月举行的 SSCC峰会上,展示拥有280层的 3D QLC SSD 储存颗粒,以及全新 DDR5-8000MHz 内存颗粒。

三星 280层 3D QLC NAND 颗粒密度为1Tb,支持下一代固态硬盘和智能手机,该芯片的磁区密度为 28.5 Gb/mm²,速度为 3.2 GB/s。

接下来是新一代 DDR5 内存颗粒,频率8000MHz,密度为 32 Gbit(4 GB),采用对称“马赛克” DRAM 单元架构,基于三星专为 DRAM 产品优化的第 5 代 10 nm 工艺打造。

据了解,该颗粒除了可以打造32 GB 和 48 GB 内存外,还可以打造 64 GB 甚至是 96 GB 大容量内存。

预计相关新品有望在年内登场。

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