在近日的三星技术日大会上,三星聊了接下来的超高频DDR6内存、GDDR6+、GDDR7以及HB3显存的开发情况。毋庸置疑,三星的一举一动都会影响着整个内存、显存发展趋势,所以我们赶紧来看看。

虽然目前市场上已经出现了像6400MHz高频的DR5内存,但这只是开始,他们表示目前三星已经做出来8400MHz的DDR5颗粒和内存了,具体上市时间还不清楚,猜测明年就应该能看到。

除了DDR5,三星还聊了下一代 DDR6 标准,据说频率是 DDR5 的两倍,按照 JEDEC联盟制定的DDR5标准起始频率,预计新的 DDR6 标准最低可以达到9600MHz。但三星表示,自家的DDR6的默认主频就可以达到12800MHz,超频后甚至可以达到17000MHz。另外,据称内存通道数比 DDR5 增加了两倍,达到四通道,这样的话 DDR6 内存会大幅提升平台性能。

另外,三星还提到了针对超薄本、平板等的低功耗LPDDR6内存。虽然三星的 LPDDR5 最快还需等到明年才能看到,但 LPDDR6 已经处于早期开发阶段,同样最高的做可以飚到 17000MHz/s 。

除了内存,三星还聊了接下来的GDDR6+、GDRR7和HBM3显存。三星表示,GDDR6+ 采用 1z nm工艺,等效频率会从现有GDRR6的18000MHz/s 提升至 24000 MHz/s。在往后,GDRR6+将被 GDDR7 标准将取代,等效频率来到32000MHz/s。值得一提的是,在 GDDR7 中,还将增加一个叫“实时错误保护功能”的新功能,目前尚不清楚细节。据推测,应该类似于服务器专用内存的 ECC ,还有待确认。

此外,三星还调了已经被抛弃的 HBM3 显存。他们表示,三星将在 2022 年第二季度量产新的HBM3,总带宽为 800 GB/s,不过并不针对普通消费级平台,而是针对人工智能应用等平台,三星正在与合作伙伴进行测试等工作,明年Q2-Q3应该就会看到了。

发表评论

必填项已用*标注