三星正在打造第9代V-NAND储存颗粒，2024年发布，部署在PCIe 5.0 SSD 中

日前，三星电子总裁兼内存业务负责人Jung-Bae Lee在科技大会上宣布，三星正在开发第9代V-NAND储存颗粒，堆叠超300层，计划在2024年量产。

据了解，三星该颗粒采用V-NAND双堆栈架构，将比竞争对手的3D NAND 颗粒拥有更多层，例如SK海力士即将推出的321层颗粒。这意味着三星的颗粒会有更高单体容量，更好的性能，比如I/O性能。

虽然目前没公布第 9 代 V-NAND 具体细节，但预计会被部署在PCIe 5.0 SSD中。

另外，三星 Jung-Bae Lee 还指出：未来会出现在1000层堆叠V-NAND颗粒，新的结构和材料创新至关重要。因此，我们正在为DRAM开发3D堆叠结构和新材料，同时增加层数，降低高度，并最大限度地减少V-NAND的单元间干扰。

最后，三星表示，第9代 V-NAND 颗粒计划于2024年推出，采用11nm级工艺。