三星12nm级32Gb DDR5 颗粒，年底量产，省电10%、容量翻倍

三星日前宣布，推出业界首款最高容量为 32Gb DDR5 颗粒，采用12nm级工艺。短短4个月，三星就将容量翻倍，速度惊人。

据了解，新颗粒采用新的high-κ材料，而之前是TSV工艺，新工艺有助于提高电池电容，高电容导致数据信号出现明显的电势差，更便于准确区分。同时在降低工作电压和减少噪音方面的努力，也有助于三星提供客户需要的解决方案。新颗粒的功耗可以降低10%左右，使得企业用户更节省成本。

三星12nm级32Gb DDR5 DRAM将在今年年底开始量产。

值得一提的是，自 1983 年开发出第一个 64KB DRAM 以来，在过去 40 年里，DRAM 容量已经提高了 50万倍。