三星今天宣布,已开始量产采用14nm EUV工艺的DDR5内存,5层EUV方案,具有更高的密度,更低的成本、更低的功耗以及性能表现。

具体来说,采用该工艺使晶圆生产率提高了约 20%,功耗降低近 20%,单芯密度增至24GB,而性能从最高的3.2 Gbps 提升至7.2 Gbps,几乎翻倍。

三星计划扩展其 14 纳米 DDR5 产品组合,以满足数据中心、超算和企业服务器等需求。另外,三星表示,这款产品非常适合用在AI和5G工作负载设备中,这些市场正在不断增长当中。

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