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8GB在规划中,三星Samsung Electronics量产4GB HBM2显存
发布时间:2016-1-19  阅读次数:  字体大小: 【】 【】【

    在 JEDEC 更新 HBM 消息后,三星Samsung Electronics 有了新动作,三星Samsung宣布,公司开始量产 4GB 封装的第二代 High Bandwidth Memory(HBM2)。

    4GB HBM2 DRAM 采用 Samsung Electronics 20nm 制程工艺以及 TSV 记忆体技术;每颗 4GB HBM2 DRAM 由 4 颗 8Gb 颗粒所组成。全新的 HBM2 有着 256GBps 的频宽,若与 HBM 相比,这频宽量可说是多了一倍,至于和 36GBps 的 4Gb GDDR5 颗粒进行比较,HBM2 的频宽是 7 倍之多。

三星Samsung Electronics量产4GB HBM2显存

    目前 4GB HBM2 将会在 HPC、显示卡以及企业及服务器的网路系统上被采用。

    同时,Samsung Electronics 预计会在 2016 年释出 8GB 版本的 HBM2,而相关产品若被运用在显卡上,使用者可以获得比 GDDR5 更强大的性能以及更小的体积。

    依照早前的资讯,AMD 的 HBM 为 SK Hynix 供应,至于 NVIDIA 则是与 Samsung Electronics 合作。