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SK Hynix展望未来:用EUV制造DRAM、600层3D NAND颗粒
发布时间:2021-3-24  阅读次数:  字体大小:

在今天的IEEE可靠性物理研讨会上,SK海力士CEO发表了演讲,讲述了未来SK的产品计划,分享了一些新的技术,比如大家关心的3D NAND。

海力士CEO李锡熙表示,未来海力士会用EUV极紫外光刻机来制造DRAM,还有600层堆叠的3D NAND颗粒。

先进的EUV极紫外光刻机可以帮助制造10nm甚至更先进工艺的DRAM,同时还能制造600层3D NAND,这比目前最高的176层足足提升了差不多2.9倍。当然,以目前技术显然还不行,至于未来,据说海力士目前还只是在研究这种可能性,也没有给出准确的问世时间点。

另外,为了应对在有限的高度上堆叠更多电池时发生的电池间干扰现象和电荷损失,海力士开发了隔离电荷陷阱氮化物结构来增强可靠性。为了对应在有限高度内堆叠多层时发生的单元间电荷干扰与电荷损失,SK海力士开发了隔离电荷陷阱氧化物结构,以提高可靠性。

当然,这只是未来的计划和展望,接下来还有几年甚至更久的路要走,期待国产内存和SSD能迎头追上。